Транзисторные выходные оптопары
Название:H11A817A_Q
Производитель:Fairchild Semiconductor
Описание:Транзисторные выходные оптопары Photo Trans
Характеристики:
Максимальная рабочая температура:+ 100 C
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Корпус:PDIP-4
Максимальная рассеиваемая мощность:200 mW
Тип выхода:DC
Максимальное обратное диодное напряжение:6 V
Максимальное напряжение на прямом диоде:1.5 V
Максимальное время нарастания:18 us
Максимальная длительность распада импульса:18 us
Максимальный ток входного диода:5000 Vrms
Количество каналов на чип:1
Устройство вывода:Phototransistor
Тип ввода:DC
Максимальный ток коллектора:50 mA
Коэффициент текущей передачи:160 %
Максимальное напряжение излучателя коллектора:70 V
Максимальное напряжение насыщения излучателя коллектора:0.2 V
